Propiedades electrónicas del grafeno con átomos adsorbidos

Abstract

RESUMEN El estudio de los sólidos es un campo bastante amplio, un área muy interesante surge cuando el sólido en estudio permite la adsorción de átomos, ya que este suele cambiar su estructura electrónica. Para este tipo de fenómenos, uno de los métodos mas usados para el estudio de sólidos y cristales es la aproximación de Tight Binding, la cual toma en cuenta la interacción de vecinos inmediatos. Este método nos facilita el estudio de la estructura del sólido, ya que nos proporciona los autovalores del sistema. Con la adsorción de átomos el nivel de di ficultad para resolver analíticamente el sistema se incrementa. En este trabajo se hizo estudio numérico, tanto de una cadena de átomos, así como de la estructura del grafeno. En ambos casos se estudiaron las propiedades electrónicas de estos dos sistemas, al ser modi cados por átomos adsorbidos con diferentes energías, utilizando la aproximación de Tight Binding a través de densidades de estado, de sus siglas en ingles(DOS). De los resultados mas importantes que pudimos obtener para el grafeno, podemos mencionar, la aparición de la banda prohibida de energía o gap, en la zona del mínimo de probabilidad del DOS, al ser adsorbido un conjunto de atomos con un patrón periódico. Por otro lado, cuando la adsorción de átomos fue realizada de forma aleatoria se observaron disminuciones en los puntos de máxima probabilidad (singularidades de Van Hove), así como desplazamientos en la zona mínima de probabilidad (Puntos de Dirac).