SABER UCV >
2) Tesis >
Otras >

Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem: http://hdl.handle.net/10872/5802

Título : Propiedades físicas, químicas y biológicas del agregado de trióxido mineral y del cemento de portland
Autor : BLOHM, KATHERINE
Palabras clave : Endodoncia
variedad de materiales específicos
procedimiento clínico
Trióxido Mineral
procedimientos endodónticos
Cemento de Portland
ámbito odontológico
clínicas en Endodoncia
Fecha de publicación : 3-Apr-2014
Citación : ;259
Resumen : En Endodoncia existe una amplia variedad de materiales específicos para cada procedimiento clínico, por ello, debemos conocer y manejar a profundidad tanto sus propiedades, como indicaciones y limitaciones, para así lograr una tasa de éxito mayor. El Agregado de Trióxido Mineral ha demostrado ser uno de los materiales ideales en diferentes procedimientos endodónticos. Recientemente, se ha relacionado con el Cemento de Portland. La posible utilización del mismo como material sustituto del Agregado de Trióxido Mineral en el ámbito odontológico ha causado una gran polémica abriendo nuevas líneas de investigación. En esta revisión de la literatura, se podrá encontrar información referente a las generalidades del Agregado de Trióxido Mineral y del Cemento de Portland, así como también, las propiedades físicas, químicas y biológicas de ambos materiales. Seguidamente se hará referencia al mecanismo de acción del Agregado de Trióxido Mineral. Por último, se presentará una revisión amplia de estudios, que hasta el momento, sustentan las diversas aplicaciones clínicas en Endodoncia del Agregado de Trióxido Mineral.
URI : http://hdl.handle.net/10872/5802
Aparece en las colecciones: Otras

Ficheros en este ítem:

Fichero Descripción Tamaño Formato
Propiedades fisicas, quimicas y biologicas del agregado de t.pdf3.21 MBAdobe PDFVisualizar/Abrir

Los ítems de DSpace están protegidos por copyright, con todos los derechos reservados, a menos que se indique lo contrario.

 

Valid XHTML 1.0! DSpace Software Copyright © 2002-2008 MIT and Hewlett-Packard - Comentarios